Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 45.5 A 25 W, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

13,275 €

(ohne MwSt.)

15,80 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 10. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 2250,531 €13,28 €
250 - 6000,518 €12,95 €
625 - 12250,505 €12,63 €
1250 - 24750,492 €12,30 €
2500 +0,48 €12,00 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
134-9696
Herst. Teile-Nr.:
SIRA88DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.25mm

Höhe

1.12mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links