Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8.3 A 5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
228-2818
Herst. Teile-Nr.:
Si4056ADY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET Gen IV N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für Lastschalter, Stromkreisschutz und Motorsteuerung verwendet.

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

Logikebenen-Gate-Ansteuerung

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