Vishay TrenchFET Si4056ADY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 8,3 A, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 228-2819
Herst. Teile-Nr.:: Si4056ADY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET Si4056ADY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 8,3 A, 8-Pin SO-8

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	0,68 €	6,80 €
100 - 240	0,611 €	6,11 €
250 - 490	0,502 €	5,02 €
500 - 990	0,442 €	4,42 €
1000 +	0,341 €	3,41 €

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RS Best.-Nr.:: 228-2819
Herst. Teile-Nr.:: Si4056ADY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet - Si4056ADY-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	8,3 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	SO-8
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0292 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Transistor-Werkstoff	Si

Vishay TrenchFET Si4056ADY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 8,3 A, 8-Pin SO-8

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