Teile-Nr.

Vishay Si2366DS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.8 A 2.1 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 812-3132P
Herst. Teile-Nr.:: SI2366DS-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Si2366DS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.8 A 2.1 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 812-3132P
Herst. Teile-Nr.:: SI2366DS-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	Si2366DS
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	42mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	2.1W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	0.85V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6.4nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.02mm
	Länge	3.04mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie Si2366DS
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 42mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 2.1W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 0.85V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.02mm
	Länge 3.04mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Vishay Si2366DS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.8 A 2.1 W, 3-Pin SOT-23

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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