- RS Best.-Nr.:
- 818-1393
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7149ADP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
20 - 180 | 0,811 € | 16,22 € |
200 - 480 | 0,77 € | 15,40 € |
500 - 980 | 0,649 € | 12,98 € |
1000 - 1980 | 0,608 € | 12,16 € |
2000 + | 0,568 € | 11,36 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 818-1393
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7149ADP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 18 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 9,5 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
Verlustleistung max. | 48 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 5mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 5.99mm |
Höhe | 1.07mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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