Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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Infineon OptiMOS™ 5 IPP029N06NAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 136 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 823-5627
Herst. Teile-Nr.:: IPP029N06NAKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 IPP029N06NAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 136 W, 3-Pin TO-220

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

2,515 €

(ohne MwSt.)

2,993 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	2,515 €	5,03 €
20 - 38	1,70 €	3,40 €
40 - 98	1,525 €	3,05 €
100 - 298	1,34 €	2,68 €
300 +	1,24 €	2,48 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 823-5627
Herst. Teile-Nr.:: IPP029N06NAKSA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	OptiMOS™ 5
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.3V
Gate-Schwellenspannung min.	2.1V
Verlustleistung max.	136 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.57mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	56 nC @ 10 V
Länge	10.36mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	15.95mm