Infineon HEXFET IRF2204SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 170 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 831-2780
Herst. Teile-Nr.:: IRF2204SPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF2204SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 170 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	170 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	3,6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	200 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	9.65mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	130 nC @ 10 V
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C