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    Infineon HEXFET IRF2204SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 170 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    831-2780
    Herst. Teile-Nr.:
    IRF2204SPBF
    Marke:
    Infineon

    Ursprungsland:
    CN
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.170 A
    Drain-Source-Spannung max.40 V
    SerieHEXFET
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.3,6 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.200 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Breite9.65mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs130 nC @ 10 V
    Länge10.67mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Höhe4.83mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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