MagnaChip MDF11N60BTH N-Kanal, THT MOSFET 660 V / 11 A 49 W, 3-Pin TO-220F

RS Best.-Nr.:: 871-4915
Herst. Teile-Nr.:: MDF11N60BTH
Marke:: MagnaChip

MagnaChip MDF11N60BTH N-Kanal, THT MOSFET 660 V / 11 A 49 W, 3-Pin TO-220F

Preis pro Stück (In einer Stange von 10)

0,923 €

(ohne MwSt.)

1,098 €

(inkl. MwSt.)

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Stück	Pro Stück	Pro Stange*
10 - 40	0,923 €	9,23 €
50 - 90	0,849 €	8,49 €
100 - 240	0,798 €	7,98 €
250 - 490	0,734 €	7,34 €
500 +	0,676 €	6,76 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 871-4915
Herst. Teile-Nr.:: MDF11N60BTH
Marke:: MagnaChip

MDF11N60 N-Channel MOSFET 600V, 11A
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	660 V
Gehäusegröße	TO-220F
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	550 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	49 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	38,4 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.93mm
Länge	10.71mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	16.13mm

MagnaChip MDF11N60BTH N-Kanal, THT MOSFET 660 V / 11 A 49 W, 3-Pin TO-220F

Hochspannungs-MOSFET (HV)

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