MagnaChip MDF11N60BTH N-Kanal, THT MOSFET 660 V / 11 A 49 W, 3-Pin TO-220F

RS Best.-Nr.:: 871-4915
Herst. Teile-Nr.:: MDF11N60BTH
Marke:: MagnaChip

MagnaChip MDF11N60BTH N-Kanal, THT MOSFET 660 V / 11 A 49 W, 3-Pin TO-220F

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Hochspannungs-MOSFET (HV)

Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET (HV) MOSFET, mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltleistung.

MOSFET-Transistoren, MagnaChip

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	660 V
Gehäusegröße	TO-220F
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	550 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	49 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.93mm
Länge	10.71mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	38,4 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	16.13mm

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Herst. Teile-Nr.:: MDF11N60BTH
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