Infineon SIPMOS® BSP297H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 911-0929
Herst. Teile-Nr.:: BSP297H6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon SIPMOS® BSP297H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 - 1000	0,342 €	342,00 €
2000 - 2000	0,325 €	325,00 €
3000 +	0,305 €	305,00 €

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RS Best.-Nr.:: 911-0929
Herst. Teile-Nr.:: BSP297H6327XTSA1
Marke:: Infineon

BSP297 SIPMOS Small Signal Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	660 mA
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Serie	SIPMOS®
Gehäusegröße	SOT-223
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,8 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.8V
Gate-Schwellenspannung min.	0.8V
Verlustleistung max.	1,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	3.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	6.5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12,9 nC @ 10 V
Höhe	1.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon SIPMOS® BSP297H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®

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