Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 200 V / 660 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
911-4808
Herst. Teile-Nr.:
BSP149H6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

660mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.6mm

Breite

3.5 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY

MOSFET der SIPMOS®-Serie von Infineon, 660 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP149H6327XTSA1


Dieser MOSFET ist ein wichtiges Bauteil für eine Reihe von elektronischen Anwendungen und bietet eine effiziente Leistung in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage. Es eignet sich gut für die Steuerung von Automatisierungsschaltungen und ist für Anwender aus den Bereichen Elektronik, Elektrik und Mechanik relevant. Die Verarmungsmodus-Charakteristik verbessert die Steuerung bei Schaltanwendungen und macht ihn zu einer geeigneten Wahl für Ingenieure.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximale Drain-Source-Spannung von 200 V für Hochspannungsanwendungen

• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von bis zu 660 mA

• Nutzt die SIPMOS-Technologie für gleichbleibende Leistung

• RoHS-konform mit Pb-freier Bleibeschichtung

• dv/dt-Bewertung für verbesserte Widerstandsfähigkeit gegen Spannungsschwankungen

Anwendungsbereich


• Treiber in Automatisierungssystemen

• Schaltnetzteile für das Energiemanagement

• Automobilelektronik gemäß AEC-Q101-Normen

Welche Bedeutung hat die Charakteristik des Verarmungsmodus?


Der Verarmungsmodus ermöglicht eine effiziente Steuerung des MOSFETs, wodurch ein effektives Schalten auch bei niedrigeren Spannungen möglich ist, was in verschiedenen elektronischen Designs von Vorteil ist.

Wie bewältigt das Gerät thermische Herausforderungen?


Er funktioniert in einem weiten Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet selbst unter extremen thermischen Bedingungen eine zuverlässige Leistung, die durch seine effektiven Wärmemanagementfähigkeiten unterstützt wird.

Wie hoch ist die Gate-Schwellenspannung für dieses Bauteil?


Die Gate-Schwellenspannung reicht von -2,1V bis -1V und bietet vielseitige Schaltmöglichkeiten für unterschiedliche Schaltungsanforderungen.

Welche Auswirkungen hat die ESD-Klasseneinstufung?


Die Einstufung in die ESD-Klasse 1B bedeutet, dass das Design elektrostatischen Entladungen zwischen 500 V und 600 V standhalten kann, was die Zuverlässigkeit des Geräts in empfindlichen Anwendungen erhöht.

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