Infineon CoolMOS™ C6 IPW60R041C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A 481 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 911-5019
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R041C6FKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ C6 IPW60R041C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A 481 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 911-5019
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R041C6FKSA1
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	77,5 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	CoolMOS™ C6
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	41 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	481 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	16.13mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	290 nC @ 10 V
Breite	5.21mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	21.1mm

Infineon CoolMOS™ C6 IPW60R041C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A 481 W, 3-Pin TO-247

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7

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