Anmelden / Registrieren um Ihre Vorteile zu nutzen
Kürzlich gesucht

    Infineon HEXFET IRF1405PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 169 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

    Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

    2,03 €

    (ohne MwSt.)

    2,42 €

    (inkl. MwSt.)

    Stück
    450 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
    Stück
    Pro Stück
    Pro Stange*
    50 - 502,03 €101,50 €
    100 - 2001,929 €96,45 €
    250 - 4501,847 €92,35 €
    500 - 9501,726 €86,30 €
    1000 +1,624 €81,20 €

    *Bitte VPE beachten

    Nicht als Expresslieferung erhältlich
    RS Best.-Nr.:
    913-3831
    Herst. Teile-Nr.:
    IRF1405PBF
    Marke:
    Infineon

    Ursprungsland:
    PH
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.169 A
    Drain-Source-Spannung max.55 V
    SerieHEXFET
    GehäusegrößeTO-220AB
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.5 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.330 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Gate-Ladung typ. @ Vgs170 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Höhe8.77mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

    Verwandte Produkte