Infineon Einfach HEXFET Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 30 V Erweiterung / 210 A 3.8 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:
913-3840
Herst. Teile-Nr.:
IRFP3703PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

210A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-247AC

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.9mm

Breite

5.3 mm

Höhe

20.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 210A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 3,8W maximale Verlustleistung - IRFP3703PBF


Dieser Hochstrom-MOSFET ist unverzichtbar für Anwendungen, die ein effizientes Power-Management erfordern. Seine HEXFET-Technologie gewährleistet, dass er die Leistungskriterien für verschiedene industrielle und elektronische Anwendungen erfüllt. Als N-Kanal-Bauelement bietet es eine hohe Strombelastbarkeit und eine effektive Spannungssteuerung in robusten und effizienten Halbleitersystemen.

Eigenschaften und Vorteile


• Bewältigt bis zu 210 A kontinuierlichen Ableitstrom

• Niedriger Einschaltwiderstand von 2,8mΩ minimiert Leistungsverluste

• Optimiert für Hochgeschwindigkeitsbetrieb mit schnellem Ein- und Ausschalten

• Einzelne Transistorkonfiguration vereinfacht den Schaltungsentwurf

Anwendungsbereich


• Einsatz in Energiemanagementsystemen für effizientes Schalten

• Anwendung in der Synchrongleichrichtung zur Verbesserung der Energieumwandlung

• Integriert in industrielle Automatisierungsanlagen für einen zuverlässigen Betrieb

• Einsatz in Stromversorgungen, die einen hohen Wirkungsgrad und minimale Wärmeentwicklung erfordern

• Geeignet für die Automobilindustrie die langlebige Komponenten benötigen

Für welche Art von Anwendungen ist dieses Gerät am besten geeignet?


Dieses Gerät eignet sich aufgrund seiner hohen Strom- und Spannungsbelastbarkeit hervorragend für das Power Management, insbesondere für die synchrone Gleichrichtung und die industrielle Automatisierung.

Wie wirkt sich der hohe Dauerableitstrom auf die Leistung aus?


Die Möglichkeit, 210A kontinuierlich zu steuern, ermöglicht eine effiziente Energieübertragung bei gleichzeitiger Reduzierung der Wärmeentwicklung, wodurch die Gesamtleistung und Zuverlässigkeit verbessert werden.

Welche Auswirkungen hat der niedrige On-Widerstand?


Der niedrige Einschaltwiderstand von 2,8 mΩ verringert die Leistungsverluste während des Betriebs erheblich, verbessert den Wirkungsgrad und unterstützt das Wärmemanagement unter hoher Last.

Welchen Betriebstemperaturbereich kann dieses Gerät bewältigen?


Er funktioniert effektiv über einen weiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für verschiedene anspruchsvolle Umgebungen geeignet.

Wie verbessert die Konfiguration des MOSFETs die Schaltungsentwicklung?


Die Ein-Transistor-Konfiguration vereinfacht das Schaltungslayout, reduziert die Anzahl der erforderlichen Komponenten und gewährleistet gleichzeitig einen zuverlässigen Betrieb in Hochgeschwindigkeitsanwendungen.

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