Infineon HEXFET IRLML0060TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,7 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 913-4048
Herst. Teile-Nr.:: IRLML0060TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRLML0060TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,7 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)

0,123 €

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0,146 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 - 3000	0,123 €	369,00 €
6000 - 6000	0,117 €	351,00 €
9000 +	0,109 €	327,00 €

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RS Best.-Nr.:: 913-4048
Herst. Teile-Nr.:: IRLML0060TRPBF
Marke:: Infineon

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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	2,7 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SOT-23
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	92 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	1,25 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +16 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	3.04mm
Breite	1.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	2,5 nC @ 4,5 V
Höhe	1.02mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C