Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 913-4795
Herst. Teile-Nr.:: IRFR9120NTRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 913-4795
Herst. Teile-Nr.:: IRFR9120NTRPBF
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	6,6 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	480 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	40 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	6.22mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	27 nC @ 10 V
Höhe	2.39mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon

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