Infineon HEXFET IRFR9120NTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 827-4082
Herst. Teile-Nr.:: IRFR9120NTRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFR9120NTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 20)

0,744 €

(ohne MwSt.)

0,885 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 80	0,744 €	14,88 €
100 - 180	0,58 €	11,60 €
200 - 480	0,543 €	10,86 €
500 - 980	0,506 €	10,12 €
1000 +	0,469 €	9,38 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 827-4082
Herst. Teile-Nr.:: IRFR9120NTRPBF
Marke:: Infineon

IRFR9120NTRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	6,6 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	480 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	40 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	27 nC @ 10 V
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	6.22mm
Höhe	2.39mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET IRFR9120NTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon

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