- RS Best.-Nr.:
- 919-0272
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4116DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)
0,475 €
(ohne MwSt.)
0,565 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
2500 + | 0,475 € | 1.187,50 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 919-0272
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4116DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 12,7 A |
Drain-Source-Spannung max. | 25 V |
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 9 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V |
Verlustleistung max. | 2,5 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 4mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17,5 nC bei 4,5 V, 37 nC bei 10 V |
Länge | 5mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Höhe | 1.55mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 919-0272
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4116DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay