Vishay Si4116DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 12.7 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

740,00 €

(ohne MwSt.)

880,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,296 €740,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
919-0272
Herst. Teile-Nr.:
SI4116DY-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

Si4116DY

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.55mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links