Vishay SI4559ADY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,9 A; 5,3 A 3,1 W, 3,4 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 919-0297
Herst. Teile-Nr.:: SI4559ADY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI4559ADY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,9 A; 5,3 A 3,1 W, 3,4 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 919-0297
Herst. Teile-Nr.:: SI4559ADY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	3,9 A; 5,3 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	72 mΩ, 150 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	3,1 W, 3,4 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4mm
Länge	5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	13 nC @ 30 V, 14,5 nC @ 30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.5mm

Vishay SI4559ADY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,9 A; 5,3 A 3,1 W, 3,4 W, 8-Pin SOIC

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

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