Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 9.3 A 82 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
919-5025
Herst. Teile-Nr.:
IRF630NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

300mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

82W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.54mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.69 mm

Höhe

8.77mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 9,3A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 82W maximale Verlustleistung - IRF630NPBF


Dieser N-Kanal-MOSFET ist für eine Reihe von Anwendungen in der Automatisierungs- und Elektronikbranche konzipiert. Er bietet optimale Verlustleistung und effiziente Leistung, was für Hochleistungssysteme entscheidend ist. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 200 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 9,3 A gewährleistet er einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen elektronischen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Hohe Nennleistung für umfangreiche elektrische Anwendungen

• Effizientes Design senkt den Wärmewiderstand für effektive Kühlung

• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten verbessern die Leistung in dynamischen Systemen

• Einfache Antriebsanforderungen helfen bei der Schaltungsintegration

• Vollständig lawinengeeignet, daher für raue Bedingungen geeignet

Anwendungsbereich


• Wird in industriellen Stromversorgungen zur Aufrechterhaltung einer stabilen Spannungsregelung verwendet

• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für effiziente Funktionalität

• Ideal für DC-DC-Wandler und Power-Management-Schaltungen

• Einsatz in HLK-Systemen zur Steuerung von Kompressormotoren

• Geeignet für Systeme zur Nutzung erneuerbarer Energien und zur Verbesserung der Energieeffizienz

Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung, die angelegt werden kann?


Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±20 V, was die Kompatibilität mit verschiedenen Schaltungsdesigns gewährleistet.

Wie verhält sich das Gerät bei der Wärmeabgabe während des Betriebs?


Er hat eine Verlustleistung von 82 W und ermöglicht so ein effizientes Wärmemanagement während des Betriebs.

Gibt es eine bestimmte Montageart, die für eine optimale Leistung empfohlen wird?


Der MOSFET ist für die Durchsteckmontage vorgesehen, die ein zuverlässiges Wärmemanagement und elektrische Verbindungen ermöglicht.

Welche Art von Anwendungen profitieren von den schnellen Schaltfunktionen?


Anwendungen, die einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb erfordern, wie z. B. Schaltnetzteile und Kompaktwandler, profitieren von seinen schnellen Schaltgeschwindigkeiten.


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