Infineon MOSFET / 10.9 A Einfach 62.5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-5240
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 10.9A | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.1mm | |
| Länge | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 10.9A | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Konfiguration Einfach | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 8 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.1mm | ||
Länge 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Höhe 1.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon MOSFET, 62,5 W maximale Verlustleistung, 10,9 A maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom – BSC16DN25NS3GATMA1
Dieser Einzel-N-Kanal-Transistor ist ein Durchsteck-Leistungs-MOSFET, der für hohe Temperatur- und Strombelastbarkeit in industriellen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem 8-poligen PG-TDSON-Gehäuse geliefert, das für Leiterplatten geeignet ist, die ein robustes, diskretes Schaltgerät benötigen. Die Komponente ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen Dauerstrom und Verlustleistung im Vordergrund stehen.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Verlustleistung von 62,5 W sorgt für dauerhafte hohe Belastbarkeit
• 10,9 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt Hochstromschaltung
• N-Kanal-Kanaltyp ermöglicht Low-Side-Schaltkonfigurationen
• Die Durchsteckmontage vereinfacht die manuelle Montage und das Prototyping
• Die Einhaltung der Norm IEC 61249-2-21 unterstützt die Material- und Konstruktionskonsistenz
• 10,9 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt Hochstromschaltung
• N-Kanal-Kanaltyp ermöglicht Low-Side-Schaltkonfigurationen
• Die Durchsteckmontage vereinfacht die manuelle Montage und das Prototyping
• Die Einhaltung der Norm IEC 61249-2-21 unterstützt die Material- und Konstruktionskonsistenz
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Leistungssteuerungsmodule, die eine hohe Verlustleistung erfordern
• Ideal für Motor-Treiber-Schaltkreise, die einen dauerhaften Dauerstrom benötigen
• Wird für das Prototyping mit Durchsteckmontageverfahren verwendet
• Kann für die Prüfung thermischer Belastungen über breite Temperaturen hinweg verwendet werden
• Ideal für Motor-Treiber-Schaltkreise, die einen dauerhaften Dauerstrom benötigen
• Wird für das Prototyping mit Durchsteckmontageverfahren verwendet
• Kann für die Prüfung thermischer Belastungen über breite Temperaturen hinweg verwendet werden
In welchem Temperaturbereich kann dieses Gerät betrieben werden?
Er funktioniert über ein Betriebsfenster von -55 °C bis 150 °C.
Wie viele Stifte und welches Gehäuse wird verwendet?
Er wird in einem 8-poligen PG-TDSON-Gehäuse geliefert.
Ist diese Komponente für Multi-Transistor-Baugruppen geeignet?
Es handelt sich um ein Ein-Transistor-Gerät, das für die diskrete Platzierung in Schaltkreisen vorgesehen ist.
Welche Zulassungen beziehen sich auf Material- oder Konstruktionsstandards?
Er erfüllt die Norm IEC 61249-2-21.
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