Alliance Memory SDRAM 64 MB 32 MB x 16 bit SMD 16 Bits/Wort 16 bit 5 ns FBGA 60-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 842-629
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C32M16MD1B-5BIN
- Marke:
- Alliance Memory
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Speicher Größe | 64MB | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Organisation | 32 MB x 16 bit | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Taktfrequenz max. | 200MHz | |
| Zugriffszeit max. | 5ns | |
| Anzahl der Wörter | 4 word | |
| Montageart | SMD | |
| Gehäusegröße | FBGA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Pinanzahl | 60 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Serie | AS4C32M16MD1B | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Maximale Versorgungsspannung | 1.95V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Speicher Größe 64MB | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Organisation 32 MB x 16 bit | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Taktfrequenz max. 200MHz | ||
Zugriffszeit max. 5ns | ||
Anzahl der Wörter 4 word | ||
Montageart SMD | ||
Gehäusegröße FBGA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Pinanzahl 60 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Serie AS4C32M16MD1B | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Maximale Versorgungsspannung 1.95V | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Alliance Memory Mobile DDR SDRAM ist eine leistungsstarke 512M-Speicherlösung, die für einen effizienten Betrieb entwickelt wurde. Seine Architektur mit niedriger Spannung und doppelter Datenrate sorgt für schnelle Datenübertragungen und unterstützt gleichzeitig fortschrittliche Stromsparfunktionen.
Die Architektur mit doppelter Datenrate ermöglicht zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
Niederspannungsbetrieb verbessert die Energieeffizienz während des Gebrauchs
Integrierte temperaturkompensierte Selbstrefresh verbessert die Energieeinsparung
Unterstützt verschiedene Burst-Längen und CAS-Latenzen für flexible Leistung
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