Alliance Memory SDRAM 16 MB 8M x 16 bit SMD 16 Bits/Wort 16 bit 5.4 ns TSOP II 54-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 842-644
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C8M16SA-6TCN
- Marke:
- Alliance Memory
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Speicher Größe | 16MB | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Organisation | 8M x 16 bit | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Taktfrequenz max. | 166MHz | |
| Zugriffszeit max. | 5.4ns | |
| Anzahl der Wörter | 2M Word | |
| Montageart | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP II | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Serie | AS4C8M16SA | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Speicher Größe 16MB | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Organisation 8M x 16 bit | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Taktfrequenz max. 166MHz | ||
Zugriffszeit max. 5.4ns | ||
Anzahl der Wörter 2M Word | ||
Montageart SMD | ||
Gehäusegröße TSOP II | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Pinanzahl 54 | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Serie AS4C8M16SA | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Hochgeschwindigkeits-CMOS-Synchron-DRAM von Alliance Memory bietet außergewöhnliche Leistung für anspruchsvolle Anwendungen und verfügt über eine Kapazität von 128 MB mit einer 4-Bank-Konfiguration. Sein optimales Timing gewährleistet einen effizienten Datenzugriff und -abruf für erweiterte Rechenaufgaben.
Schnelle Zugriffszeit von 5,4 ns für verbesserte Datenverarbeitungsgeschwindigkeiten
Betriebsfrequenzen von 166 MHz ermöglichen schnelle Datenübertragungsraten
Vollständig synchroner Betrieb gewährleistet zuverlässiges Timing mit Taktsignalen
Konfigurierbar mit programmierbaren Modusregistern zur Verbesserung der Leistung
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