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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Winbond
	Speicher Größe	512MBit
	Organisation	64 MB x 8 Bit
	SDRAM-Klasse	LPDDR
	Datenumfang	200MHz
	Datenbus-Breite	32bit
	Adressbusbreite	15bit
	Anzahl der Bits pro Wort	8bit
	Zugriffszeit max.	5ns
	Anzahl der Wörter	64M
	Montage-Typ	SMD
	Gehäusegröße	VFBGA
	Pinanzahl	90
	Abmessungen	13.1 x 8.1 x 0.65mm
	Höhe	0.65mm
	Länge	13.1mm
	Breite	8.1mm
	Betriebstemperatur min.	–40 °C
	Betriebstemperatur max.	+85 °C
	Arbeitsspannnung max.	1,95 V
	Arbeitsspannnung min.	1,7 V

	Alle auswählen
	Marke Winbond
	Speicher Größe 512MBit
	Organisation 64 MB x 8 Bit
	SDRAM-Klasse LPDDR
	Datenumfang 200MHz
	Datenbus-Breite 32bit
	Adressbusbreite 15bit
	Anzahl der Bits pro Wort 8bit
	Zugriffszeit max. 5ns
	Anzahl der Wörter 64M
	Montage-Typ SMD
	Gehäusegröße VFBGA
	Pinanzahl 90
	Abmessungen 13.1 x 8.1 x 0.65mm
	Höhe 0.65mm
	Länge 13.1mm
	Breite 8.1mm
	Betriebstemperatur min. –40 °C
	Betriebstemperatur max. +85 °C
	Arbeitsspannnung max. 1,95 V
	Arbeitsspannnung min. 1,7 V

Datasheet W949D2DBJX5I

Ursprungsland:: TW

VDD = 1,7 ∼ 1,95 V
VDDQ = 1,7-1,95 V
Datenbreite: X16 / x32
Taktrate: 200 MHz (-5), 166 MHz (-6)
Refresh-Modus serienmäßig
Teil-Array-Selbstaktualisierung (PASR)
Automatische temperaturkompensierte Selbstaktualisierung (ATCSR)
Abschaltmodus
Deep-Power-Down-Modus (DPD-Modus)
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Datenmaske (DM) zum Schreiben von Daten
Taktstoppfunktion während Leerlaufzeiten
Automatische Vorladeoption für jeden Burst-Zugriff
Doppelte Datenrate für Datenausgabe
Differenzielle Takteingänge (CK und CK)
Bidirektional, Datenstrobe (DQS)
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 2, 4, 8 und 16
Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
8 K Aktualisierungszyklen/64 ms
Schnittstelle: LVCMOS-kompatibel
Supportpaket:
60 Kugeln VFBGA (x16)
90 Kugeln VFBGA (x32)
Betriebstemperaturbereich
Erweitert: -25 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
Industrie: -40 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.

Dies ist ein 512 MB DDR SDRAM mit geringer Leistungsaufnahme, organisiert als 2 M Wörter x 4 Bänke x 32 Bit.

Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
Refresh-Modus serienmäßig
PASR, ATCSR, Abschaltmodus, DPD
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Bidirektional, die Datenvalidierung (DQS) wird mit Daten gesendet bzw. empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen

Winbond SDRAM 512MBit 64 MB x 8 Bit LPDDR 200MHz 8bit Bits/Wort 5ns VFBGA 90-Pin, 1,7 V bis 1,95 V

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