- RS Best.-Nr.:
- 188-2730
- Herst. Teile-Nr.:
- W9712G6KB25I
- Marke:
- Winbond
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---|---|---|
5 - 5 | 2,094 € | 10,47 € |
10 - 15 | 1,904 € | 9,52 € |
20 - 45 | 1,87 € | 9,35 € |
50 - 95 | 1,846 € | 9,23 € |
100 + | 1,658 € | 8,29 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 188-2730
- Herst. Teile-Nr.:
- W9712G6KB25I
- Marke:
- Winbond
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der W9712G6KB ist ein 128-M-Bit-DDR2-SDRAM mit einer Geschwindigkeit von -25, 25I und -3.
Doppelte Datenraten-Architektur: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
CAS-Latenz: 3, 4, 5 und 6
Burst-Länge: 4 und 8
Bidirektional, Differenzial-Datenvalidierungen (DQS und /DQS) werden mit Daten übertragen/empfangen
Flanken-ausgerichtet beim Lesen von Daten und Mitte-ausgerichtet beim Schreiben von Daten
DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge auf den Takt aus
Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK)
Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten
Befehle, die an jeder positiven CLK-Kante, an Daten- und Datenmaske eingegeben werden, beziehen sich auf beide Kanten von /DQS
Programmierbare additive Latenz /CAS unterstützt, um die Effizienz von Befehlen und Datenbus zu steigern
Leselatenz = Additive Latenz plus CAS-Latenz (RL = AL + CL)
Off-Chip-Impedanzeinstellung des Treibers (OCD) und On-Die-Abschluss (ODT) für bessere Signalqualität
Auto-Precharge-Betrieb zum Lesen und Schreiben von Bursts
Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi
Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung
Datenmaske schreiben
Schreiblatenz = Leselatenz - 1 (WL = RL - 1)
Schnittstelle: SSTL_18
CAS-Latenz: 3, 4, 5 und 6
Burst-Länge: 4 und 8
Bidirektional, Differenzial-Datenvalidierungen (DQS und /DQS) werden mit Daten übertragen/empfangen
Flanken-ausgerichtet beim Lesen von Daten und Mitte-ausgerichtet beim Schreiben von Daten
DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge auf den Takt aus
Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK)
Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten
Befehle, die an jeder positiven CLK-Kante, an Daten- und Datenmaske eingegeben werden, beziehen sich auf beide Kanten von /DQS
Programmierbare additive Latenz /CAS unterstützt, um die Effizienz von Befehlen und Datenbus zu steigern
Leselatenz = Additive Latenz plus CAS-Latenz (RL = AL + CL)
Off-Chip-Impedanzeinstellung des Treibers (OCD) und On-Die-Abschluss (ODT) für bessere Signalqualität
Auto-Precharge-Betrieb zum Lesen und Schreiben von Bursts
Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi
Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung
Datenmaske schreiben
Schreiblatenz = Leselatenz - 1 (WL = RL - 1)
Schnittstelle: SSTL_18
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 128MBit |
SDRAM-Klasse | DDR2 |
Organisation | 8M x 16 Bit |
Datenumfang | 200MHz |
Datenbus-Breite | 16bit |
Adressbusbreite | 15bit |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Zugriffszeit max. | 0.4ns |
Anzahl der Wörter | 16M |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | TFBGA |
Pinanzahl | 84 |
Abmessungen | 12.6 x 8.1 x 0.8mm |
Höhe | 0.8mm |
Länge | 12.6mm |
Breite | 8.1mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Arbeitsspannnung min. | 1,7 V |
Betriebstemperatur max. | +95 °C |
Arbeitsspannnung max. | 1,9 V |
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