Alliance Memory SDRAM 256MBit 16 M x 16 DDR 166MHz 16bit Bits/Wort 5ns TFBGA 54-Pin, 3 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 230-8411
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C16M16SA-6BIN
- Marke:
- Alliance Memory
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- AS4C16M16SA-6BIN
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Alliance Memory 256 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 256 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 4M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert
Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank Active-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.
Schnelle Zugriffszeit von der Uhr: 5/5,4 ns
Schnelle Taktrate: 166/143 MHz
Vollständig synchroner Betrieb
Interne verrohrungsbeschlungener Architektur
4 M Wort x 16-Bit x 4-Bank
Schnelle Taktrate: 166/143 MHz
Vollständig synchroner Betrieb
Interne verrohrungsbeschlungener Architektur
4 M Wort x 16-Bit x 4-Bank
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 256MBit |
| Organisation | 16 M x 16 |
| SDRAM-Klasse | DDR |
| Datenumfang | 166MHz |
| Datenbus-Breite | 16bit |
| Adressbusbreite | 13bit |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
| Zugriffszeit max. | 5ns |
| Anzahl der Wörter | 16 M |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | TFBGA |
| Pinanzahl | 54 |
| Abmessungen | 8.0 x 8.0 x 1.2mm |
| Höhe | 1.2mm |
| Länge | 8.0mm |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
| Arbeitsspannnung min. | 3 V |
| Breite | 8.0mm |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 230-8411
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C16M16SA-6BIN
- Marke:
- Alliance Memory
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