Alliance Memory SDRAM 256 MB 16M x 16 Bit Oberfläche 16 Bits/Wort 16 bit 5 ns TFBGA 54-Pin

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RS Best.-Nr.:
230-8411
Herst. Teile-Nr.:
AS4C16M16SA-6BIN
Marke:
Alliance Memory
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Marke

Alliance Memory

Speicher Größe

256MB

Produkt Typ

SDRAM

Organisation

16M x 16 Bit

Datenbus-Breite

16bit

Adressbusbreite

13bit

Anzahl der Bits pro Wort

16

Taktfrequenz max.

166MHz

Zugriffszeit max.

5ns

Anzahl der Wörter

4M

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

TFBGA

Pinanzahl

54

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

AS4C16M16SA-C&I

Länge

8mm

Höhe

1.2mm

Breite

8.1 mm

Minimale Versorgungsspannung

3V

Automobilstandard

Nein

Versorgungsstrom

60mA

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Der Alliance Memory 256 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 256 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 4M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert; Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank Active-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.

Schnelle Zugriffszeit von der Uhr: 5/5,4 ns

Schnelle Taktrate: 166/143 MHz

Vollständig synchroner Betrieb

Interne verrohrungsbeschlungener Architektur

4 M Wort x 16-Bit x 4-Bank

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