Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 32bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, PBGA 119-Pin

RS Best.-Nr.:: 181-7452
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1062G30-10BGXI
Marke:: Infineon

Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 32bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, PBGA 119-Pin

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Datasheet CY7C1062G30-10BGXI

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns / 15 ns
Integrierter Fehlerkorrekturcode (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
ICC = 90 mA typisch
ISB2 = 20 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V
1,0-V-Datenspeicherung
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
ERR-Stift zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur
Erhältlich in Pb-freiem 119-Ball-PBGA-Gehäuse (Kugelgitter Array)

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	16MBit
Organisation	512 KB x 16 bit
Anzahl der Wörter	512k
Anzahl der Bits pro Wort	32bit
Zugriffszeit max.	10ns
Adressbusbreite	16bit
Taktfrequenz	100MHz
Low Power	Ja
Timing Typ	Asymmetrisch
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	PBGA
Pinanzahl	119
Abmessungen	22 x 14 x 1.8mm
Höhe	1.8mm
Arbeitsspannnung max.	3,6 V
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Länge	22mm
Breite	14mm
Arbeitsspannnung min.	2,2 V

Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 32bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, PBGA 119-Pin

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