Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 54-Pin

RS Best.-Nr.:: 181-7613
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1061GE30-10ZSXI
Marke:: Infineon

Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 54-Pin

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RS Best.-Nr.:: 181-7613
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1061GE30-10ZSXI
Marke:: Infineon

Datasheet CY7C1061GE30-10ZSXI

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	16MBit
Organisation	1 MB x 16 bit
Anzahl der Wörter	1M
Anzahl der Bits pro Wort	16bit
Zugriffszeit max.	10ns
Adressbusbreite	16bit
Taktfrequenz	100MHz
Low Power	Ja
Timing Typ	Asymmetrisch
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	TSOP
Pinanzahl	54
Abmessungen	22.51 x 10.26 x 1.05mm
Höhe	1.05mm
Arbeitsspannnung max.	3,6 V
Breite	10.26mm
Arbeitsspannnung min.	2,2 V
Länge	22.51mm
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Betriebstemperatur min.	–40 °C

Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 54-Pin

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