Infineon 16 MB SRAM 1M 100 MHz, 16 / Wort 16 bit, TSOP 54-Pin

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RS Best.-Nr.:
181-7613
Herst. Teile-Nr.:
CY7C1061GE30-10ZSXI
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

16MB

Anzahl der Wörter

1M

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

10ns

Adressbusbreite

16bit

Taktfrequenz max.

100MHz

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

2.2V

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

TSOP

Betriebstemperatur min.

-40°C

Pinanzahl

54

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Länge

22.51mm

Serie

CY7C1061GE

Höhe

1.05mm

Normen/Zulassungen

No

Versorgungsstrom

110mA

Automobilstandard

Nein

Die Modelle CY7C1061G und CY7C1061GE sind Hochleistungs-CMOS-SRAM-Geräte mit eingebettetem ECC. Für beide Geräte sind Ausführungen für einzelne und doppelte Chips und in verschieden Stiftkonfigurationen erhältlich. Das Gerät CY7C1061GE enthält einen ERR-Stift, der im Lesezyklus ein Ereignis für die 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur signalisiert.

Hohe Geschwindigkeit

tAA = 10 ns / 15 ns

Eingebetteter Fehlerkorrekturcode (ECC) für 1-Bit-Fehler

korrektur [1, 2]

Niedriger Wirk- und Standby-Strom

ICC = 90 mA (typisch) bei 100 MHz

ISB2 = 20 mA (typisch)

Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und

4,5 V bis 5,5 V

1,0 V Datenspeicherung

Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)

Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an

Erhältlich in bleifreien 48-poligen TSOP-I-Gehäusen, 54-poligen TSOP-II-Gehäusen sowie den VFBGA-Gehäusen mit 48 Kugeln

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