Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 44-Pin

Hohe Geschwindigkeit
TAA = 10 ns / 15 ns
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
Wirkstrom: ICC = 38 mA typisch
Standby-Strom: ISB2 = 6 mA typisch
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V
1,0-V-Datenspeicherung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
PB-freie 44-polige SOJ-, 44-polige TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse