Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
182-3367
Herst. Teile-Nr.:
CY7C1041G30-10ZSXE
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

4MBit

Organisation

256 K x 16

Anzahl der Wörter

256k

Anzahl der Bits pro Wort

16bit

Zugriffszeit max.

10ns

Adressbusbreite

16bit

Taktfrequenz

1MHz

Low Power

Ja

Timing Typ

Asymmetrisch

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

TSOP-44

Pinanzahl

44

Abmessungen

18.51 x 10.26 x 1.05mm

Höhe

1.05mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Arbeitsspannnung min.

2,2 V

Länge

18.51mm

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Breite

10.26mm

Ursprungsland:
CN
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Temperaturbereich
KFZ-E: -40 °C bis 125 °C.
KFZ-A: -40 °C bis 85 °C.
Integrierter ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur [1, 2]
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
Wirkstrom ICC = 40 mA typisch
Standby-Strom ISB2 = 6 mA typisch
Betriebsspannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V
1,0 V Datenspeicherung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Bleifreie 48-Ball-VFBGA- und 44-polige TSOP II-Gehäuse

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