Teile-Nr.

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 44-Pin

RS Best.-Nr.:: 181-7594
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1041GN-10ZSXI
Marke:: Infineon

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 44-Pin

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RS Best.-Nr.:: 181-7594
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1041GN-10ZSXI
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Speicher Größe	4MBit
	Organisation	256 k x 16 Bit
	Anzahl der Wörter	256k
	Anzahl der Bits pro Wort	16bit
	Zugriffszeit max.	10ns
	Adressbusbreite	16bit
	Taktfrequenz	1MHz
	Low Power	Ja
	Timing Typ	Asymmetrisch
	Montage-Typ	SMD
	Gehäusegröße	TSOP
	Pinanzahl	44
	Abmessungen	18.51 x 10.26 x 1.04mm
	Höhe	1.04mm
	Arbeitsspannnung max.	5,5 V
	Breite	10.26mm
	Länge	18.51mm
	Betriebstemperatur max.	+85 °C
	Arbeitsspannnung min.	4,5 V
	Betriebstemperatur min.	–40 °C

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Speicher Größe 4MBit
	Organisation 256 k x 16 Bit
	Anzahl der Wörter 256k
	Anzahl der Bits pro Wort 16bit
	Zugriffszeit max. 10ns
	Adressbusbreite 16bit
	Taktfrequenz 1MHz
	Low Power Ja
	Timing Typ Asymmetrisch
	Montage-Typ SMD
	Gehäusegröße TSOP
	Pinanzahl 44
	Abmessungen 18.51 x 10.26 x 1.04mm
	Höhe 1.04mm
	Arbeitsspannnung max. 5,5 V
	Breite 10.26mm
	Länge 18.51mm
	Betriebstemperatur max. +85 °C
	Arbeitsspannnung min. 4,5 V
	Betriebstemperatur min. –40 °C

Datasheet CY7C1041GN-10ZSXI

Hohe Geschwindigkeit
TAA = 10 ns / 15 ns
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
Wirkstrom: ICC = 38 mA typisch
Standby-Strom: ISB2 = 6 mA typisch
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V
1,0-V-Datenspeicherung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
PB-freie 44-polige SOJ-, 44-polige TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 44-Pin

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