Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, SOJ 85-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 193-8462
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1021D-10VXIT
- Marke:
- Infineon
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 500)
1,815 €
(ohne MwSt.)
2,16 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 500 + | 1,815 € | 907,50 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 193-8462
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1021D-10VXIT
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Temperaturbereiche:
Industrie: -40 °C bis 85 °C.
KFZ-A: -40 °C bis 85 °C.
Stift und Funktion kompatibel mit CY7C1021B.
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA bei 10 ns
Niedrige CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data
Automatische Abschaltung bei Abwahl
CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Unabhängige Steuerung von oberen und unteren Bits
Erhältlich in Pb-freien 44-poligen 400-Mil-Wide-Molded-SOJ- und 44-poligen TSOP-II-Gehäusen
Industrie: -40 °C bis 85 °C.
KFZ-A: -40 °C bis 85 °C.
Stift und Funktion kompatibel mit CY7C1021B.
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA bei 10 ns
Niedrige CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data
Automatische Abschaltung bei Abwahl
CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Unabhängige Steuerung von oberen und unteren Bits
Erhältlich in Pb-freien 44-poligen 400-Mil-Wide-Molded-SOJ- und 44-poligen TSOP-II-Gehäusen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 1MBit |
| Organisation | 64 k x 16 Bit |
| Anzahl der Wörter | 64k |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
| Zugriffszeit max. | 10ns |
| Adressbusbreite | 16bit |
| Taktfrequenz | 1MHz |
| Timing Typ | Asymmetrisch |
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | SOJ |
| Pinanzahl | 85 |
| Abmessungen | 1.12 x 0.395 x 0.095Zoll |
| Arbeitsspannnung max. | 6 V |
| Höhe | 2.41mm |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
| Länge | 28.45mm |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Breite | 10.03mm |
| Arbeitsspannnung min. | –0,5 V |
Verwandte Produkte
- Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 100MHz SOJ 32-Pin
- Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k 1MHz SOJ 44-Pin
- Infineon 1MBit LowPower SRAM 64k 1MHz 3 V bis 3 TSOP 44-Pin
- Cypress Semiconductor 256kbit SRAM-Speicherbaustein 32k 1MHz SOJ 85-Pin
- Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz SOJ 32-Pin
- ISSI 1MBit LowPower SRAM 64k 45 V, SOJ 44-Pin
- ISSI 1MBit SRAM 64k SOJ 44-Pin
- Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k TSOP 44-Pin