Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1 M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 3 V bis 3,6 V, TSOP II 54-Pin

RS Best.-Nr.:: 193-8469
Herst. Teile-Nr.:: CY7C10612G30-10ZSXI
Marke:: Infineon

Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1 M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 3 V bis 3,6 V, TSOP II 54-Pin

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RS Best.-Nr.:: 193-8469
Herst. Teile-Nr.:: CY7C10612G30-10ZSXI
Marke:: Infineon

Datasheet CY7C10612G30-10ZSXI

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	16MBit
Organisation	1 MB x 16 bit
Anzahl der Wörter	1 M
Anzahl der Bits pro Wort	16bit
Zugriffszeit max.	10ns
Adressbusbreite	16bit
Taktfrequenz	100MHz
Low Power	Ja
Timing Typ	Asymmetrisch
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	TSOP II
Pinanzahl	54
Abmessungen	22.313 x 10.058 x 0.95mm
Arbeitsspannnung max.	3,6 V
Höhe	0.95mm
Länge	22.31mm
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Breite	10.06mm
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Arbeitsspannnung min.	3 V

Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1 M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 3 V bis 3,6 V, TSOP II 54-Pin

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