Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 217-3687P
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416S10PHGI
- Marke:
- Renesas Electronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der 3,3-V-CMOS-SRAM der Renesas Electronics 71V416-Serie ist als 256 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des 71V416 sind LVTTL-kompatibel und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 3,3-V-Versorgung. Er hat eine Anschlussanzahl von 44 und einen TSOP-Gehäusetyp. Das SRAM hat eine Temperaturklasse I.
JEDEC-Mittenleistung/GND-Pinbelegung für geringere Geräuschentwicklung.
Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 10/12/15 ns
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt
LVTTL-kompatibel
Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 10/12/15 ns
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt
LVTTL-kompatibel
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 4MBit |
| Organisation | 256 K x 16 |
| Anzahl der Wörter | 256K |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
| Zugriffszeit max. | 10ns |
| Low Power | Ja |
| Timing Typ | Asymmetrisch |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | TSOP-44 |
| Pinanzahl | 44 |
| Abmessungen | 18.41 x 10.16 x 1mm |
| Höhe | 1mm |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Breite | 10.16mm |
| Länge | 18.41mm |
| Arbeitsspannnung min. | 3 V |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 217-3687P
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416S10PHGI
- Marke:
- Renesas Electronics
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