Renesas Electronics 1 MB SRAM 64K, 16 / Wort 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
264-1297
Herst. Teile-Nr.:
71V016SA15PHG8
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

1MB

Anzahl der Wörter

64K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

20ns

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

3V

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Pinanzahl

44

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Serie

IDT71V016

Länge

18.41mm

Versorgungsstrom

160mA

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der 1.048.576-Bit-Hochgeschwindigkeits-Static-RAM von Renesas Electronics ist als 64K x 16 organisiert. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen.

Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen

Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten

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