Infineon 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort 19 bit, SOIC 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7340
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62148ELL-45ZSXI
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Schale mit 117 Stück)*
602,43 €
(ohne MwSt.)
716,86 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 117 + | 5,149 € | 602,43 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7340
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62148ELL-45ZSXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Adressbusbreite | 19bit | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.50V | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.50V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +85°C | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Breite | 11.76mm | |
| Serie | MoBL | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 20.95mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Adressbusbreite 19bit | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.50V | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.50V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +85°C | ||
Pinanzahl 32 | ||
Breite 11.76mm | ||
Serie MoBL | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 20.95mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
SRAM der MoBL-Serie von Infineon, 4 MB Speichergröße, 5,50 V maximale Versorgungsspannung – CY62148ELL-45ZSXI
Dieser SRAM bietet einen schnellen, bytebreiten flüchtigen Speicher für Systeme, die einen Lese-/Schreibzugriff mit geringer Latenz erfordern. Es arbeitet als asynchrones Speichermodul, das über eine Nenn-5-V-Schiene betrieben wird, und ist für Anwendungen vorgesehen, die ein kompaktes, oberflächenmontierbares Gehäuse erfordern. Das Gerät funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und erfüllt die RoHS-Umweltanforderungen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Zugriffszeit von 45 ns ermöglicht eine schnelle Datenwiederherstellung für zeitkritische Aufgaben
• 4 MB Kapazität unterstützt umfangreiche temporäre Datenspeicherung
• 8-Bit-Organisation vereinfacht die Schnittstelle zu Standardbussen
• 32-poliger SOIC reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte für dichte Layouts
• Asynchrones Timing ermöglicht flexible Steuerung mit einfacher Signalisierung
• 4 MB Kapazität unterstützt umfangreiche temporäre Datenspeicherung
• 8-Bit-Organisation vereinfacht die Schnittstelle zu Standardbussen
• 32-poliger SOIC reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte für dichte Layouts
• Asynchrones Timing ermöglicht flexible Steuerung mit einfacher Signalisierung
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Pufferung großer Datensätze in eingebetteten Systemen
• Ideal für Firmware-Scratchpad und Speicherung von Laufzeitparametern
• Wird mit Mikrocontrollern verwendet, die einen schnellen externen Speicher erfordern
• Kann für Bildlinienpuffer in Vision-Modulen verwendet werden
• Wird zur temporären Protokollierung in industriellen Steuerungen verwendet
• Ideal für Firmware-Scratchpad und Speicherung von Laufzeitparametern
• Wird mit Mikrocontrollern verwendet, die einen schnellen externen Speicher erfordern
• Kann für Bildlinienpuffer in Vision-Modulen verwendet werden
• Wird zur temporären Protokollierung in industriellen Steuerungen verwendet
Welchen Versorgungsspannungsbereich akzeptiert er?
Es funktioniert zwischen 4,50 V min. und 5,50 V max.
Welche Umgebungstemperaturen kann er tolerieren?
Es arbeitet von -40 °C bis +85 °C Umgebungstemperatur.
Wie ist der Speicher intern organisiert?
Der Speicher ist in 512.000 Wörtern mit je 8 Bit angeordnet und bietet insgesamt 4 MB.
Welche Verpackung und wie viele Stifte sind zu erwarten?
Das Gerät wird in einem 32-poligen SOIC-Gehäuse mit einer Höhe von 1 mm geliefert.
Gibt es Normen für die Materialkonformität?
Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen.
Verwandte Links
- Infineon 4 MB SRAM 512K SOIC 32-Pin
- Infineon 4 MB SRAM 512K 1 MHz SOIC 32-Pin
- Infineon 4 MB SRAM 512K TSOP II 32-Pin
- Infineon 8 MB SRAM 512K TSOP II 44-Pin
- Infineon 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort 22-Pin
- Infineon 4 MB SRAM 512K SOJ 36-Pin
- Infineon 8 MB SRAM 512K TSOP 54-Pin
- Infineon 2 MB SRAM 128k, 16 / Wort 48-Pin
