Renesas Electronics 4MBit SRAM 512K 1MHz, 8bit / Wort 8bit, SOJ 36-Pin

Bei der Serie R1RW handelt es sich um ein SRAM, das am besten für Anwendungen geeignet ist, die Speicher mit hoher Geschwindigkeit und hoher Dichte und eine Konfiguration mit großer Bit-Breite erfordern, beispielsweise Cache und Pufferspeicher im System.

Einfache 3,3 V-Spannungsversorgung
Zugriffszeit: 10 ns / 12 ns
Kein Taktgeber oder Timing-Stroboskop erforderlich
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel

SRAM (Static Random Access Memory)