FRAM

Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM, F-RAM oder FRAM) ist eine Speichertechnologie mit derselben Funktionalität wie Flash-Speicher. Speicherbausteine FRAM kombinieren einen sofortigen nicht-flüchtigen Datenspeicher mit der hohen Leistungsfähigkeit eines RAM und werden mit voller Schnittstellengeschwindigkeit ohne Schreibverzögerungen geschrieben. 




FRAM bietet praktisch unbegrenzte Lebensdauer (100 Billionen Lese-/Schreibzyklen) und bleibt für kurze Zeiträume aktiv, was den Energieverbrauch sehr niedrig hält.




Wofür werden Speicherbausteine FRAM verwendet?




Speicherbausteine FRAM können in CMOS-Technologie (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) integriert werden, um Mikrocontroller mit eigenem FRAM-Speicher auszustatten. Dies erfordert weniger Phasen als die für die Integration eines Flash-Speichers erforderliche Anzahl.




FRAM-Speicher bietet eine optimierte, benutzerfreundliche Lösung für eine Vielzahl von erweiterten elektronischen Messsystemen, egal ob Strom, Wasser, Gas oder Hitze. Normalerweise werden Speicherbausteine FRAM in Elektronikgeräten zur Speicherung von kleinen Datenmengen eingesetzt.




Arten von Speicherbausteinen FRAM

  • Serielle FRAM-Chips werden in der Regel mit seriellem elektrisch löschbarem programmierbarem Nur-Lese-Speicher (EEPROM) verwendet. 

  • Parallele FRAM-Chips kommen in der Regel mit parallelem statischem Random Access Memory (SRAM) zum Einsatz. 

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