Infineon FRAM 4 MB, 512K x 8 bit QSPI SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5265
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104QSN-108SXI
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-5265
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104QSN-108SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 512K x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | QSPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 108MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.80V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 512K x 8 bit | ||
Schnittstellentyp QSPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 108MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Automobilstandard Nein | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.80V | ||
Infineon FRAM, 4 MB Speichergröße, 1,8 V bis 3,6 V Versorgungsspannung – CY15B104QSN-108SXI
Diese FRAM bietet nichtflüchtigen, Hochgeschwindigkeitsspeicher in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse für eingebettete Anwendungen. Er arbeitet über einen breiten Versorgungsbereich, der für unterschiedliche Systemspannungen geeignet ist, und wird über eine Quad-SPI-Schnittstelle aufgerufen, um beschleunigte serielle Speicherübertragungen zu unterstützen. Das Gerät ist für den Betrieb bei erweiterten Temperaturen spezifiziert und ermöglicht den Einsatz unter härteren Umgebungsbedingungen, bei denen Standard-Verbrauchskomponenten möglicherweise nicht ausreichen.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Taktfrequenz von 108 MHz ermöglicht schnellere serielle Übertragungen
• 4 MB Dichte bieten eine umfangreiche nichtflüchtige Speicherkapazität
• 8-Bit-Datenbus unterstützt Byte-orientierte Systemarchitekturen
• Der Betriebsbereich von 1,8 V bis 3,6 V reduziert die Komplexität des Leistungsbereichs
• Die Nennleistung von -40 °C bis 85 °C ermöglicht den Betrieb bei breiten Temperaturen
• 4 MB Dichte bieten eine umfangreiche nichtflüchtige Speicherkapazität
• 8-Bit-Datenbus unterstützt Byte-orientierte Systemarchitekturen
• Der Betriebsbereich von 1,8 V bis 3,6 V reduziert die Komplexität des Leistungsbereichs
• Die Nennleistung von -40 °C bis 85 °C ermöglicht den Betrieb bei breiten Temperaturen
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Datenprotokollierung in industriellen Steuerungssystemen
• Ideal für die Firmware-Speicherung in eingebetteten Controllern
• Verwendung mit akkubetriebenen Systemen für häufige Schreibvorgänge
• Kann zur Parameterspeicherung in der Messtechnik verwendet werden
• Geeignet für Sensorknoten mit geringem Stromverbrauch und Speicheranforderungen
• Ideal für die Firmware-Speicherung in eingebetteten Controllern
• Verwendung mit akkubetriebenen Systemen für häufige Schreibvorgänge
• Kann zur Parameterspeicherung in der Messtechnik verwendet werden
• Geeignet für Sensorknoten mit geringem Stromverbrauch und Speicheranforderungen
Welche Schnittstelle nutzt er für die Hochgeschwindigkeitskommunikation?
Es verwendet eine Quad-SPI (QSPI)-Schnittstelle, um parallele serielle Datenwege und einen höheren Durchsatz zu ermöglichen.
Wie ist der Speicher für die Adressierung von Software organisiert?
Der Speicher ist als 512K Wörter mit 8 Bit angeordnet, was eine lineare Byte-Adressierung über das 4 MB-Array hinweg ermöglicht.
Welche Verpackung und wie viele Stifte sollten Entwickler planen?
Die Komponente wird in einem SOIC-Gehäuse mit 8 Stiften für ein einfaches Leiterplatten-Layout geliefert.
Welche Umweltgrenzen regeln den sicheren Betrieb?
Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -40 °C und 85 °C für den Einsatz in Anwendungen mit erweiterten Temperaturen ausgelegt.
Gibt es Material- oder gesetzliche Bestimmungen für die Herstellung?
Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe.
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