- RS Best.-Nr.:
- 168-4565
- Herst. Teile-Nr.:
- MIXA225PF1200TSF
- Marke:
- IXYS
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- Ursprungsland:
- DE
Produktdetails
IGBT-Module IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 360 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±30V |
Verlustleistung max. | 1100 W |
Gehäusegröße | SimBus F |
Konfiguration | Dual |
Montage-Typ | PCB-Montage |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 11 |
Transistor-Konfiguration | Serie |
Abmessungen | 152 x 62 x 17mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 168-4565
- Herst. Teile-Nr.:
- MIXA225PF1200TSF
- Marke:
- IXYS
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