Toshiba IGBT / 15 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
168-7763
Herst. Teile-Nr.:
GT15J341
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)

15 A

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

600 V

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

TO-220SIS

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Durchsteckmontage

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Ursprungsland:
JP

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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