- RS Best.-Nr.:
- 180-7350
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP25N50E-GE3
- Marke:
- Vishay
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250 - 450 | 2,262 € | 113,10 € |
500 - 1200 | 2,129 € | 106,45 € |
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- 180-7350
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP25N50E-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Vishay MOSFET
Der durchkontaktierte N-Kanal-TO-220AB-3 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 500 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 145 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 250 W und einen Dauerstrom von 26 A. Er hat eine Antriebsspannung von 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Geringe Leistungszahl (FOM): Ron x Qg.
• Niedrige Gate-Ladung (Qg)
• Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
• Niedrige Gate-Ladung (Qg)
• Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
Anwendungen
• Hartschaltete Topologien
• PC-Silberbox/ATX-Netzteile
• Netzteile mit Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
• Schaltnetzteile (SMPS)
• Zweistufige LED-Beleuchtung
• PC-Silberbox/ATX-Netzteile
• Netzteile mit Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
• Schaltnetzteile (SMPS)
• Zweistufige LED-Beleuchtung
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• UIS-geprüft
• BS EN 61340-5-1:2007
• UIS-geprüft