Vishay SIS443DN-T1-GE3 MOSFET
- RS Best.-Nr.:
- 180-7730
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS443DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 180-7730
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS443DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Vishay MOSFET
Der SMD-P-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 11,7 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 52 W und einen Dauerstrom von 35 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• Adapterschalter
• DC/DC-Wandler
• Lastschalter
• Mobiles Computing
• Notebook-Computer
• Strommanagement
• DC/DC-Wandler
• Lastschalter
• Mobiles Computing
• Notebook-Computer
• Strommanagement
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft