Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS443DN-T1-GE3

RS Best.-Nr.:: 180-7730
Herst. Teile-Nr.:: SIS443DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS443DN-T1-GE3

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RS Best.-Nr.:: 180-7730
Herst. Teile-Nr.:: SIS443DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	35A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0117Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	52W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	41.5nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.61mm
	Höhe	0.79mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	3.61 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße PowerPAK 1212-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0117Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 52W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41.5nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.61mm
	Höhe 0.79mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 3.61 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der SMD-P-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 11,7 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 52 W und einen Dauerstrom von 35 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• Adapterschalter

• DC/DC-Wandler

• Lastschalter

• Mobiles Computing

• Notebook-Computer

• Strommanagement

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft