Teile-Nr.

onsemi IGBT / 120 A ±20V max. , 650 V 714 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 214-8787
Herst. Teile-Nr.:: AFGY120T65SPD
Marke:: onsemi

onsemi IGBT / 120 A ±20V max. , 650 V 714 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 214-8787
Herst. Teile-Nr.:: AFGY120T65SPD
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Dauer-Kollektorstrom max.	120 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	714 W
	Anzahl an Transistoren	1
	Gehäusegröße	TO-247
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Einfach

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Dauer-Kollektorstrom max. 120 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 714 W
	Anzahl an Transistoren 1
	Gehäusegröße TO-247
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Einfach

Datasheet - AFGY120T65SPD

Die Serie on Semiconductor AFGY ist IGBT mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode, die sehr niedrige Leitungs- und Schaltverluste für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen, robuste transiente Zuverlässigkeit und geringe elektromagnetische Störungen bietet.

Enge Parameterverteilung
Hohe Eingangsimpedanz
Kurzschluss-Robustheit
Zusammen mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode

onsemi IGBT / 120 A ±20V max. , 650 V 714 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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