Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 20 A, 1.2 kV 288 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 244-2913
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
480 weitere Einheiten hinzufügen, um 38,88 € zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 240 Stück)*
385,92 €
(ohne MwSt.)
459,36 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 240 Einheit(en) mit Versand ab 14. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 240 - 240 | 1,608 € | 385,92 € | - |
| 480 + | 1,527 € | 366,48 € | 38,88 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-2913
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 20A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 288W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.55V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 % | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 42mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Breite | 16.13mm | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 20A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 288W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.55V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 % | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 42mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS | ||
Breite 16.13mm | ||
Serie Resonant Switching | ||
Höhe 5.21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT-Einzeltransistor-IC der Resonanzschaltserie von Infineon, 1200 V max. Kollektor-Emitter-Spannung, 20 A max. kontinuierlicher Kollektorstrom – IHW20N120R5XKSA1
Dieser IGBT-Einzeltransistor-IC ist ein Hochspannungsschaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und -steuerung in anspruchsvollen elektrischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit und eine hohe Dauerstromkapazität erfordern. Die Komponente wird in einem PG-TO-247-Gehäuse geliefert und entspricht den spezifizierten Material- und Stoffstandards.
Merkmale und Vorteile:
• 1200-V-Kollektor-Emitter-Festigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 20 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung
• 1,55 V Vce(sat) reduzieren die Leitungsverluste während des Einschaltbetriebs
• Maximale Verlustleistung von 288 W ermöglicht hohe thermische Belastbarkeit
• Die Gate-Emitter-Bewertung von ±20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Amplituden
• Funktioniert bei Temperaturen von -40 °C bis 175 °C für erweiterte Temperaturbeständigkeit
• 20 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung
• 1,55 V Vce(sat) reduzieren die Leitungsverluste während des Einschaltbetriebs
• Maximale Verlustleistung von 288 W ermöglicht hohe thermische Belastbarkeit
• Die Gate-Emitter-Bewertung von ±20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Amplituden
• Funktioniert bei Temperaturen von -40 °C bis 175 °C für erweiterte Temperaturbeständigkeit
Anwendungsbereich
• Geeignet für resonante Schalttopologien in Leistungswandlern
• Wird für 1200 V 20 A IGBT-Transistorrollen in industriellen Wechselrichtern verwendet
• Ideal für Hochleistungs-IGBT-288-W-Module in Motorantrieben
• Kann für den Austausch von PG-TO-247 IGBT-Modulen in Baugruppen verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-IGBT-Umgebungen von -40 bis 175 °C
• Wird für 1200 V 20 A IGBT-Transistorrollen in industriellen Wechselrichtern verwendet
• Ideal für Hochleistungs-IGBT-288-W-Module in Motorantrieben
• Kann für den Austausch von PG-TO-247 IGBT-Modulen in Baugruppen verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-IGBT-Umgebungen von -40 bis 175 °C
Welche Verpackung ist für die einfache Montage auf der Leiterplatte oder im Kühlkörper vorgesehen?
Er wird in einem PG-TO-247-Gehäuse geliefert, das für die Standard-Durchsteckmontage und herkömmliche Kühlkörper geeignet ist.
Welche Normen für Materialien und gefährliche Substanzen erfüllt er?
Das Gerät ist RoHS-konform und erfüllt die Werkstoffspezifikationen der IEC 61249-2-21.
Welche elektrische Grenze definiert die Sicherheit von Gate-Antrieben?
Die Gate-Emitter-Spannung ist auf ±20 V begrenzt, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden.
Wie sollten Konstrukteure die Wärmekapazität für einen dauerhaften Betrieb bewerten?
Verwenden Sie die maximale Verlustleistung von 288 W für Kühlkörper und Kühlung bei Dauerlasten.
Welche extremen Temperaturen kann das Gerät im Betrieb tolerieren?
Es funktioniert von einem Minimum von -40 °C bis zu einem Maximum von 175 °C für Anwendungen mit erhöhten Temperaturen.
Verwandte Links
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 20 A 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 75 A 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 4 A, 600 V 6.8 W PG-SOT223
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 150 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage