Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 20 A, 1200 V 288 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 244-2913
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IHW20N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 20A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 288W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.55V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 % | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Länge | 42mm | |
| Breite | 16.13 mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 20A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 288W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.55V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 % | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie Resonant Switching | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS | ||
Länge 42mm | ||
Breite 16.13 mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IHW20N120R5XKSA1 ist eine leistungsstarke monolithische Gehäusediodenspannung mit niedriger Durchlassspannung, die für die Softkommutierung entwickelt wurde. Es verfügt über die TRENCHSTOPTM-Technologie und eine sehr enge Parameterverteilung. Es ist eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten.
Einfache Parallelschaltung durch positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
LowEMI
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei (gemäß IEC61249-2-21)
Komplettes Produktspektrum und Pspice Models
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