STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 1200 V 535 W Max247 lange Kabel
- RS Best.-Nr.:
- 244-3195
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA50H120DF2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 535 W | |
| Konfiguration | Serie | |
| Gehäusegröße | Max247 lange Kabel | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 535 W | ||
Konfiguration Serie | ||
Gehäusegröße Max247 lange Kabel | ||
Der STMicroelectronics IGBT wurde mit einer Advanced proprietären Trench Gate Feldstoppstruktur entwickelt. Dieses Gerät ist Teil der Serie H von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um die Effizienz von Hochfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus sorgen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung für einen sichereren Parallelbetrieb.
Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175 °C.
5 μs Kurzschlussfestigkeit
Niedriger VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 50 A
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Wiederherstellung
5 μs Kurzschlussfestigkeit
Niedriger VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 50 A
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Wiederherstellung
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