STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 1200 V 535 W Max247 lange Kabel

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RS Best.-Nr.:
244-3195
Herst. Teile-Nr.:
STGYA50H120DF2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

535 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

Max247 lange Kabel

Konfiguration

Serie

Der STMicroelectronics IGBT wurde mit einer Advanced proprietären Trench Gate Feldstoppstruktur entwickelt. Dieses Gerät ist Teil der Serie H von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um die Effizienz von Hochfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus sorgen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung für einen sichereren Parallelbetrieb.

Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175 °C.
5 μs Kurzschlussfestigkeit
Niedriger VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 50 A
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Wiederherstellung

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