STMicroelectronics IGBT / 100 A 20V max., 1200 V 535 W Max. 247
- RS Best.-Nr.:
- 248-4895
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA50M120DF3
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA50M120DF3
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Produktdetails
Das STMicroelectronics-Produkt ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung und Effizienz des Wechselrichtersystems darstellen, bei dem geringe Verluste und Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen der positive VCEsat-Temperaturkoeffizient und die enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175 °C
10 μs Kurzschlussfestigkeit
Niedrige VCE(sat)
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung
10 μs Kurzschlussfestigkeit
Niedrige VCE(sat)
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | 20V |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Verlustleistung max. | 535 W |
| Konfiguration | Single |
| Gehäusegröße | Max. 247 |
- RS Best.-Nr.:
- 248-4895
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA50M120DF3
- Marke:
- STMicroelectronics
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