STMicroelectronics IGBT / 50 A, 1200 V 535 W, 3-Pin Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

191,28 €

(ohne MwSt.)

227,61 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 306,376 €191,28 €
60 - 606,21 €186,30 €
90 +6,057 €181,71 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
248-4895
Herst. Teile-Nr.:
STGYA50M120DF3
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

535W

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

21.1 mm

Länge

15.9mm

Serie

STGYA50M120DF3

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Das STMicroelectronics-Produkt ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung und Effizienz des Wechselrichtersystems darstellen, bei dem geringe Verluste und Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen der positive VCEsat-Temperaturkoeffizient und die enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175 °C

10 μs Kurzschlussfestigkeit

Niedrige VCE(sat)

Enge Parameterverteilung

Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

Niedriger Wärmewiderstand

Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung

Verwandte Links