Infineon IGBT-Modul / 140 A, 1200 V 480 W

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244-5861
Herst. Teile-Nr.:
FS100R12KE3BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

140A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

480W

Anzahl an Transistoren

6

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

FS

Automobilstandard

Nein

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 480 W, maximum gate threshold voltage is 6,5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Maximum collector-emitter saturation voltage 2,15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

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