Infineon IGBT-Transistormodul / 95 A ±20V max., 650 V 275 W ACEPACK 2
- RS Best.-Nr.:
- 259-1502
- Herst. Teile-Nr.:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 259-1502
- Herst. Teile-Nr.:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 95 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 275 W | |
| Konfiguration | Array 6 | |
| Gehäusegröße | ACEPACK 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 95 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 275 W | ||
Konfiguration Array 6 | ||
Gehäusegröße ACEPACK 2 | ||
Die Infineon Easy Pack 2B-Module mit Trenchstop IGBT3, emittergesteuerter 3-Diode und PressFIT/NTC.
Erhöhte Sperrspannungsfähigkeit bis 650 V
Geringe Schaltverluste
Niedriger VCEsat
Trench IGBT 3
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Hohe Leistungsdichte
Geringe Schaltverluste
Niedriger VCEsat
Trench IGBT 3
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
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