Infineon IGBT / 20 A ±20V max. , 650 V 125 W, 3-Pin TO-263 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 273-2956
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB20N65S5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2956
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB20N65S5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon IGBT mit Antiparalleldiode im TO263-Gehäuse ist für den Einsatz mit einem Ein- oder Ausschalt-Gate-Widerstand geeignet.
Gate-Treiber mit Fräserklemmen sind nicht erforderlich
Reduzierung der EMI-Filterung erforderlich
Ausgezeichnet für Parallelmontage
Reduzierung der EMI-Filterung erforderlich
Ausgezeichnet für Parallelmontage
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 20 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30V |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Verlustleistung max. | 125 W |
| Gehäusegröße | TO-263 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
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