STMicroelectronics IGBT / 4 A Einzelkollektor, 600 V 75 W, 3-Pin TO-252 Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
287-7045
Herst. Teile-Nr.:
STGD4H60DF
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

4A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-252

Konfiguration

Einzelkollektor

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.7V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Breite

6.7 mm

Länge

1.7mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Trench Gate Field Stop von STMicroelectronics ist ein IGBT, der mit einer Advanced proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Dieses Gerät ist Teil der H-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad von Hochschaltfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

Niedriger Wärmewiderstand

Kurzschluss-Nennschaltung

Sanfte und schnelle Antiparalleldiode

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