STMicroelectronics IGBT / 4 A Einzelkollektor, 600 V 75 W, 3-Pin TO-252 Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 287-7045
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD4H60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
2,36 €
(ohne MwSt.)
2,80 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,18 € | 2,36 € |
| 20 - 48 | 0,76 € | 1,52 € |
| 50 - 198 | 0,565 € | 1,13 € |
| 200 - 998 | 0,505 € | 1,01 € |
| 1000 + | 0,445 € | 0,89 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 287-7045
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD4H60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 4A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Konfiguration | Einzelkollektor | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Breite | 6.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 4A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Konfiguration Einzelkollektor | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Breite 6.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Trench Gate Field Stop von STMicroelectronics ist ein IGBT, der mit einer Advanced proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Dieses Gerät ist Teil der H-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad von Hochschaltfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
Niedriger Wärmewiderstand
Kurzschluss-Nennschaltung
Sanfte und schnelle Antiparalleldiode
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 4 A Einzelkollektor 3-Pin TO-252 Oberfläche
- STMicroelectronics IGBT / 5 A 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche
- Bourns IGBT, 600 V 82 W TO-252
- STMicroelectronics IGBT / 25 A Einzelkollektor 3-Pin TO-247 Bi-direktional-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 35 A Einzelkollektor 3-Pin TO-247 Bi-direktional-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics Trench-Gate-Field-Stop-IGBT / 10 A 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT / 6 A, 600 V 51.7 W TO-252
- Infineon IGBT / 15 A, 600 V 115.4 W TO-252